全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司（International Rectifier,简称IR）近日推出全新60、80和100V 的N沟道HEXFET®  MOSFET。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用,可以将阻容乘积这一参数改善36%。IRF7853PbF、IRF7854PbF及IRF7855PbF均适用于AC-DC次级同步整流、隔离式中等功率DC-DC应用。

IR中国大陆及香港销售总监严国富指出：“MOSFET的导通状态电阻和总栅极电荷性能对整个电路性能有着直接的影响。我们的三款新型SO-8封装器件采用了IR 的沟道MOSFET技术,可以大幅度降低RDS(on) 和Qg,为转换器电路带来显著的系统级优势。”

这些中电压MOSFET 配合IR 的低电压MOSFET 和控制器IC,可组成中功率转换器应用的次级芯片组。此外,当与SmartRectifierTM 智能整流器IR1167一起应用于笔记本电脑适配器等AC-DC电源时,这些新型SO-8封装器件则可替代两个大型的TO-220 MOSFET 及对应的散热器,提升整体系统效率达1%。

100V IRF7853专为隔离式DC-DC总线转换器的通信总线宽电压输入（36V-75V）的原边桥拓扑结构作了优化。80V IRF7854则可用于有源ORing和热插拔应用。三款MOSFET都是针对5-19V输出的反激转换器的次级同步整流和共振半桥式应用设计的,并可以作为18-36V输入的隔离式 DC-DC转换器的正激拓扑结构或推挽式拓扑结构的原边开关,在隔离式DC-DC应用中使用。

这些新型HEXFET® MOSFET现已供货,基本规格如下：

产品型号	封装	VDSS	在10V VGS下的RDS (on)	典型Qg	典型Qgd
IRF7853PbF	无铅SO-8	100V	18mΩ	28nC	10nC
IRF7854PbF	无铅SO-8	80V	13.4mΩ	27nC	8.7nC
IRF7855PbF	无铅SO-8	60V	9.4mΩ	26nC	9.6nC