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  Maxim 高集成度SiGe混频器            【字体:
Maxim 高集成度SiGe混频器
作者:佚名    文章来源:不详    点击数:    更新时间:2008-01-14    

美信集成产品公司(Maxim Integrated Products)面向2.5G/3G无线基站系统设计推出一款完全集成的SiGe混频器——MAX9994。该芯片具有8.3dB的转换增益、9.7dB的噪声系数和26.2dBm的IIP3。此外,MAX9994混频器在-10dBm RF电平下为67dBc,在-5dBmRF电平下为62dBc。 

MAX9994适合工作在1700MHz~2200MHz频带的WCDMA/UMTS、DCS/PCS/EDGE、cdma2000和TDMA基站。该器件具有40MHz~350MHz的宽IF频率范围,并具有1400MHz~2000MHz的低边LO注入范围。优化于高边LO注入的MAX9996支持1900MHz~2400MHz的LO频率范围。 

MAX9994还集成了一个双平衡混频器内核、两个放大器、两个非平衡变压器、LO开关,配合12个分离器件即可构成一个完整的SiGe下变频器。较高的集成度使下变频器所占用的电路板空间减少了一半,分离器件数目减少了34%。 

该器件可提供高达8dB的转换增益,因此设计人员可在接收通道省去整个IF放大电路。同时,MAX9994还具有良好的2RF-2LO性能,易于滤除相邻的谐波分量,使滤波器的设计更简易、成本更低。 

开关时间小于50ns、LO1与LO2间隔离度为45dB的集成SPDT LO开关用于支持跳频功能。在整个温度、电源电压和输入功率变化范围内,内置0dBm驱动的LO缓冲器可提供±3dB驱动变化量的控制,获得稳定的增益、NF以及IIP3性能。MAX9994的增益稳定度在工业级温度范围(-40℃~+85℃)内保持在±0.75dB以内。在整个温度范围内,其IIP3保持在±0.5dB以内。 

MAX9994采用紧凑的5×5mm、20引脚薄型QFN封装,同时还提供无铅封装。起价6.90美元(1000片起,美国离价,仅供参考)。  
  

   
  
 


 


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