安森美半导体（ONSEMI）推出双模式系列的第二款器件——NCP1501,这是具有低压降（LDO）模式的脉宽调制（PWM）降压转换器。该款新器件可理想应用于包括手机、PDA、数码相机等便携应用的电源管理以及数字信号处理器（DSP）内核电源。

    通过在普通至高电流负载时使用PWM模式,而在甚轻负载时转换至LDO模式,以消除PWM静态电流、转换损耗和噪声,从而在整个工作范围内保持高效率的电压转换。该转换器具有四种数字式固定输出电压选择（1.05 V、 1.35 V、 1.57 V 与 1.8 V）。NCP1501集结 MOSFET、上升电流和补偿技术,简化了驱动便携设备的电源管理系统之电路板设计。该器件还具有过压、过流限制和热保护电路,以确保系统安全。

    NCP1501最高可向负载供电300毫安（mA）,满足绝大多数便携设备微处理器内核和基带处理器的要求。在PWM模式下,NCP1501接收500千赫至1,000千赫之间的同步时钟信号。内置的同步整流——NCP1500不具此功能——为中至高电流负载提供高功效（最高达92.5%）。集成式斜率补偿电路、反馈电路和MOSFET显著减少外部元件数量。
 
    与使用脉冲频率调制（PFM）模式的同类竞争器件相比,NCP1501的线性模式具有显著降低的静态电流和真正的无噪声输出。该器件输入电压范围为2.7V至5.2V,可由单节锂离子（Li+）电池或三节镍氢（NiMH）电池直接供电。此外,NCP1501具有一个关断引脚和数字式可编程电压选择,设计人员可将输出电压设置为1.05 V、 1.35 V、 1.57 V 或 1.8 V。1.05V选项确保NCP1501被正确配置为下一代设计所需的核心电压。关断期间,静态电流为0.2微安（uA）,大大保存了电池寿命。同时,NCP1501允许采用陶瓷电容器和轻薄感应器以优化设计。

    NCP1501采用节省空间的3 mm x 5 mm Micro-8封装。NCP1501的datasheet可以在21IC器件搜索获得,地址为

    http://www.21icsearch.com