飞思卡尔半导体日前凭借第七代高压(HV7)射频LDMOS技术,成功地取得了在3.5 GHz频段运行的符合WiMAX基站所需的射频功率放大器性能。通过提供采用射频LDMOS和GaAs PHEMT技术的功率晶体管,飞思卡尔的射频解决方案能够支持高功率无线基础设施应用,其中LDMOS的性能高达3.8 GHz,而GaAs PHEMT的性能则高达6 GHz。

首批3.5 GHz LDMOS设备的样品MRF7S38075H现已问世。它是一个75瓦特的P1dB 射频晶体管,平均功率为42dBm (16W),满足在3.5 GHz频段运行的WiMAX设备的性能要求。此外,40W和10W的 P1dB 3.5 GHz设备也将于近期面市。

这三款射频LDMOS设备扩大了飞思卡尔现有的射频功率晶体管系列的产品阵容。同时,HV7 LDMOS设备完善了12V GaAs PHEMT设备的功能,使其能够适应3.5 GHz的 WiMAX应用。而目前正在开发的新型高压GaAs设备将可在高达6 GHz的频段运行,当运行电压达到20 V以上,GaAs设备能够达到高达100 W的输出功率,同时还能满足数字调制系统的严格要求。

据市场研究机构iSuppli公司估计,2006年全球WiMAX的市场份额约为10亿美元,而2009年将达到20亿美元。而中国的WiMAX市场将于2006年开始启动,2010年中国的WiMAX用户数有望达到300万户。